返回第670章 第二步:覆海!破晓 A220 EUV光刻机  今月曾经照古河首页

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能量泄漏!」

林南的声音比刚才响亮了几分,紧绷的肩膀也稍稍放松了一些,脸上绽放出一抹旁人看不见的灿烂笑容。

作为国产第一台EUV光刻机的核心研发人员,那是妥妥能登上教科书、评院士、留名青史的人。

他连忙深吸了一口气,强行控制住自己的情绪。

陈延森微微颔首,转头看向章延杰:「光学系统同步适配,检查光束匀化效果。」

章延杰立马调出照明光学模块的实时数据,屏幕上弹出一组光束截面分布图。

淡紫色的光斑均匀地覆盖在模拟掩模区域,边缘没有出现丝毫能量衰减的阴影。

「陈老师,光束匀化度99.2%,符合220瓦功率下的光学适配要求,成像光学系统已完成自动对焦校准!」

章延杰扬声回应道。

这一次,控制室内的骚动比方才更加明显。

有人悄悄抹了把眼角,还有人用拳头轻轻捶了下桌面。

从107瓦到220瓦,不仅仅是数字的提升,更是证明他们的MCDE-EUV光源既能「点亮」,也能在更高功率下保持稳定,这意味着量产的可能性又近了一步。

功率是制约工艺节点的重要因素!

制程微缩需实现更小的线宽和间距,要求EUV光具备更高的光学对比度,而功率是对比度的核心支撑。

220瓦的稳定功率,足以满足7纳米制程的晶片生产所需。

陈延森嗯了一声,接着吩咐道:「准备晶圆台与掩模台同步测试,加载测试晶圆,按28纳米制程参数设置曝光程序。」

汪象朝马上响应:「测试晶圆已通过机械臂送入预对准工位,掩模台已加载28纳米标准电路掩模版,同步精度校准中。」

顷刻间,众人的视线重新聚焦在主监控屏上。

屏幕被分成了四个画面:左上角是光源功率与等离子体状态,右上角是光学系统的光束分布,左下角是晶圆台的实时坐标,右下角则是掩模台的运动轨迹。

随着汪象朝按下按钮,两个精密平台迅速移动,它们的运动轨迹像两条精准咬合的齿轮,每一次微调都控制在0.1纳米以内。

「同步精度0.08纳米!已达预设标准!」

汪象朝说道。

陈延森看了一眼时间,此刻是晚上8点37分,距离真空泵启动已经过去了半个多小时。

他俯下身子,对着麦克风,向实验

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