返回第639章 狼来了?不,是真香警告!制约星源  今月曾经照古河首页

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视频,谁就能吃上第一波流量。

当晚八点零三分,天才大熊猫在斗音首发了一条测试视频。

短短几个小时内,播放量就突破了千万,点赞量更是超过了百万。

视频选取了湾积电、格罗方德、联华电子和星源科技这四家晶片制造工厂生产的天工 A100T晶片,进行了一系列严格的测试。

在CPU性能测试中,天工 A100T处理器星源科技版的跑分中达到了61637分。

湾积电版本58193分。

格罗方德版本56279分。

联华电子55428分。

让人出乎意料的是,星源科技的性能跑分最高,比湾积电高了6%。

在功耗方面,星源科技HFOB结构的工艺先进性更是体现得淋漓尽致。

在持续高强度运行一小时后,星源科技生产的晶片功耗稳定在4.4瓦左右,机身温度为39摄氏度。

湾积电的晶片功耗则在5.2W左右,温度达到了 43摄氏度。

格罗方德和联华电子的晶片功耗更高,分别为5.6W和5.8W,机身温度也相应地达到了45摄氏度和46摄氏度。

看完测试视频的网友一脸茫然!

同一款处理器,差异有点大!

他们本以为星源科技刚成立没多久,工艺应该不成熟才对。

万万没想到,工艺水平最高的竟是星源科技!

这.不科学啊!

梁劲松见时机成熟,跟着发了一条图文格式的动态。

「星源科技在制造天工 A100T处理器时,采用了一种全新的电晶体结构,内部命名为Hybrid FinFET on Bulk架构,简称HFOB结构。

我们在不显着牺牲成本和良率的前提下,通过引入部分FinFET和Soi技术的优点,打造一个性能、功耗、密度全面超越传统28nm HKMG Planar技术的混合工艺,即混合体硅鳍式场效应电晶体架构。

对关键逻辑路径,如CPU、GPU核心,以及高漏电单元使用FinFET结构,这能极好地控制漏电流现象,允许工作电压从0.9V降至0.7V甚至更低,从而实现巨大的功耗优势。

对RF器件、IO器件、和非关键逻辑仍使用改良版本的Planar HKMG技术,不仅避免了为所有器件重新设计库和IP的巨大成本,还保留了模拟器件在Pl

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